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TOF-SIMS介紹
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飛行時間-二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS）是一種基于質(zhì)譜的表面分析技術(shù)。高能一次離子束（如Ga+，Bi3+， Arn+，Cs+等）轟擊樣品表面，在轟擊區(qū)域產(chǎn)生包含樣品表面成分信息的帶電離子（碎片），這些帶電離子經(jīng)過質(zhì)量分析后得到樣品表面信息。TOF-SIMS因其高靈敏度和高質(zhì)量分辨率等特性，廣泛應用于半導體行業(yè)的摻雜與雜質(zhì)的分析，電子行業(yè)的痕量污染物分析，生物制藥行業(yè)等。 高能一次離子轟擊樣品表面產(chǎn)生的二次離子被提取到無場漂移管，沿既定飛行路徑到達檢測器。由于給定離子的速度與其質(zhì)量成反比，因此不同質(zhì)量的 離子的飛行時間不同。質(zhì)量越輕，到達檢測器的時間越早。通過監(jiān)測進入檢測器的離子的飛行時間可以得到樣品表面的質(zhì)譜。 |
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TOF-SIMS儀器介紹
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儀器能力
獲得的信息：元素(H~U)， 同位素、 分子結(jié)構(gòu)、 化學鍵接 采集深度：1-10? 空間分辨率：0.07 μm 成分檢出限：~1ppm 深度剖析功能：具備 定量能力：需要標準品
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TOF-SIMS應用范圍
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同位素分析
輕元素分析
痕量物質(zhì)的分析（ppb-ppm)
表面超薄有機污染物分析
深度剖析：超薄多層薄膜結(jié)構(gòu)分析（膜層厚度nm)，特別是有機薄膜。
表面有機涂層分析（納米級）
原位分析
TOF-SIMS應用實例
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3D應用
TOF-SIMS來樣要求
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磁性材料不可分析
樣品導電性：無論是導體, 半導體還是絕緣樣品，都可以分析
樣品形態(tài)：可對固體、液體樣品進行分析，但不能對其中的揮發(fā)性成分進行分析
樣品尺寸：常規(guī)樣品：長/寬<1cm，厚度<1cm；特殊樣品：長/寬<9cm，厚度<1cm
樣品包裝注意事項：樣品用干凈材料包裝，盡量避免接觸測試面，存放于溫濕度適宜條件下，有條件最好真空包裝
樣品制備注意事項：需測試樣品表面成分的，請不要對樣品進行擦拭、觸摸等，避免污染測試面；
測試本體成分的，可以對樣品進行破開，露出新鮮斷面
使用導電膠進行樣品制備時，要及時進行分析
